MB85RC256V Speicher 32KB I2C Nichtflüchtiger FRAM Breakout-Board

Merkmale: FRAM ist nichtflüchtig und kann problemlos 10 Billionen Mal gelesen und geschrieben werden. Es ähnlich wie dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM), nur mit einer ferroelektrischen Schicht anstelle einer dielektrischen Schicht. Es eignet sich besonders für den Einsatz mit Low-Power-Datenloggern und zum Puffern von Daten in Abwesenheit einer stabilen Spannungsquelle. Der verwendete FRAM-Chip bietet 8 KB Speicher und VERBRAUCHT einen Takt von bis zu 20 MHz. Jedes Byte kann sofort gelesen und geschrieben werden, hält den Speicher jedoch 95 Jahre lang bei Raumtemperatur. Spezifikation: Zustand: 100 Prozent nagelneu Addr: 1010+A2+A1+A0 Standard: 0 x 50 VCCLogic: 2.75.5V Paketliste: 1 x FRAM Breakout Board FRAM ist nichtflüchtig und kann problemlos 10 Billionen Mal gelesen und geschrieben werden. Es ähnlich wie dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM), nur mit einer ferroelektrischen Schicht anstelle einer dielektrischen Schicht. Es eignet sich besonders für den Einsatz mit Low-Power-Datenloggern und zum Puffern von Daten in Abwesenheit einer stabilen Spannungsquelle. Der verwendete FRAM-Chip bietet 8 KB Speicher und VERBRAUCHT einen Takt von bis zu 20 MHz. Jedes Byte kann sofort gelesen und geschrieben werden, hält den Speicher jedoch 95 Jahre lang bei Raumtemperatur.